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 0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/3.3V G
 0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/5V G
 
 Overview
        公司0.18um工藝是基於客戶對於Fab兼容目的而開發可廣泛應用的工藝。0.18um邏輯工藝可提供1.8V電壓core device、3.3V或者5V 電壓IO device, 並同時提供Native VT、Medium low VT器件、高性能電容、高精度poly電阻、可變電容器、電感等可選工藝可方便客戶電路設計。
Shrunk工藝可以有效的降低客戶成本,同時Shrunk工藝的器件特性同不Shrunk工藝非常接近。公司 0.162um工藝是0.18um 90% Shrunk工藝, 公司 0.153um工藝是0.18um 85% Shrunk工藝。
公司0.18um工藝提供OTP/MTP工藝,OTP/MTP 工藝同現有單多晶邏輯工藝平台兼容,不需要額外增加光刻層次。
 
 Key Features
    0.18G
 Core Voltage  Typical 1.8V
 Core Device  Typical VT
 Low VT
 IO Device  3.3V
 5V
 SRAM BItcell(um2)   4.65

 0.18um Process Family
    0.18G
 Special Process  Mix
 RF
 OTP/MTP
 Design  Technical File
 PDK
 IP/Library
 
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 0.18μm CMOS EN (3.3V or 5V) 
 
 Overview  
        公司提供的0.18μm CMOS EN (3.3V or 5V)工藝擁有極具競爭力的光刻次數和緊湊的設計規則,為DC-DC、LED屏驅動、音頻功放、MCU等應用提供了很好的解決方案。
 
 Key Features 
- Single poly, rich metal (Aluminum) options (support 2~6, thin/thick top metal options)
- Hi-Rsh poly resistor, MIM/MOS capacitor, OTP/FT E–fuse and other rich device options
- Full Design Kit support with PDK\CMD\library
 
 Application 
- DC-DC
- LED display
- Audio amplifier
- MCU
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 0.18μm e-Flash
 
 Overview  
        公司提供的0.18μm e-Flash工藝兼容0.18um logic工藝,提供業界具有競爭力的閃存IP,高可靠性,低功耗和低成本,為智能卡、各類屏接觸控製、MCU等應用提供了很好的解決方案。
 
 Key Features 
- Double polys, support 4~6 top metal options
- Industrial competitive flash macro cell size, low voltage, low power operation
- Full Design Kit support with PDK\ std cell\IO Library
 
 Application 
- Smart card
- Touch-screen controller
- MCU