您的瀏覽器版本過低,請升級瀏覽器版本,以獲得更好的體驗。
 0.8μm 700V BCD G3S
 
 Overview
        0.8μm 700V BCD G3S是公司的標準高壓工藝平台之一,是以較經濟的光刻層數實現700V高壓工藝,特別合適離線式電源(AC/DC)和LED 驅動產品設計,特征為0.8μm前端/0.5μm後端,單層多晶,雙層金屬,工藝平台提供常規及隔離的5V低壓CMOS、40V中壓CMOS器件、700V LDMOS、700V HV 耗盡管、700V JFET器件,以及多晶高阻和齊納二極管等器件。
 
 Key Features
- 0.8 micron front-end, 0.5 micron back-end design rule
- Modular concept (HR/ Zener / BJT / 700V JFET/ Special require)
- 500V LDMOS (BVds>550V)/ 650V LDMOS (BVds>700V)/700V LDMOS (BVds>750V) 
- JFET Voff: -9V/-25V
- High value poly resistor; 1K or 3K
 
 Applications
- Off-line power (AC/DC)
- LED driver
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
 
 0.8μm 40V HV Power Analog
 
 Overview
        0.8μm HV P/A是公司的新一代高壓工藝平台,是以最少光刻層數實現的經濟高壓工藝,工藝特征為0.8μm FEOL/0.35umBEOL 線寬,雙層多晶,四層金屬,應用於數模混合的高壓產品。工藝平台提供常規及隔離的5V低壓CMOS、25V中壓和40V高壓CMOS器件,以及多晶高阻和齊納二極管等器件。
 
 Key Features
- 5V logic layout & performance compatible with the industry standard
- 0.8 micron front-end, 0.35 micron back-end design rule
- Epi process for isolated devices
- Modular concept (HR/ Zener / BJT / Special require)
- Vgs/Vds=5V/25 or Vgs/Vds=5V/40V,Vgs/Vds=25V/25 or Vgs/Vds=40V/40V HVCMOS
- High value poly resistor
- I/O cell library with 2KV HBM ESD protection levels
 
 Applications
- LCD driver/LED driver
- Power management product
- Battery protection IC